STN1NK60Z 与 BSP125 H6327 区别
| 型号 | STN1NK60Z | BSP125 H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STN1NK60Z | A-BSP125 H6327 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 15 O 4.9 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet- SOT-223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.5mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15Ω@400mA,10V | 25Ω |
| 上升时间 | - | 14.4ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 6.6nC |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 60mS |
| 封装/外壳 | SOT-223 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 0.3A | 120mA |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 110ns |
| 高度 | - | 1.6mm |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.3W(Tc) | 1.8W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 20ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | SuperMESH™ | BSP125 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 94pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.9nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 7.7ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN1NK60Z | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.3W(Tc) 15Ω@400mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.3A |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 | ||||
|
BSP126,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
￥2.189
|
32 | 对比 | ||||
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|
BSP126,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
BSP125 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
600V 120mA 25Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
BSP126,135 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
PJW1NA60_R2_00001 | Panjit | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30V 4V SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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